CEC2108E中文資料華瑞數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

廠商型號(hào)	CEC2108E
功能描述	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
文件大小	607.9 Kbytes
頁面數(shù)量	5 頁
生產(chǎn)廠商	CET-MOS Technology Corp.
企業(yè)簡(jiǎn)稱	CET-MOS【華瑞】
中文名稱	華瑞功率電子股份有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)	下載地址一下載地址二
更新時(shí)間	2025-2-6 18:26:00

FEATURES

20V, 29A, RDS(ON) = 13mW @VGS = 10V.

RDS(ON) = 14mW @VGS = 4.5V.

Super High dense cell design for extremely low RDS(ON).

High power and current handing capability.

RoHS compliant.

RDS(ON) = 19mW @VGS = 2.5V.

ESD Protected: 2000 V.

RDS(ON) = 27mW @VGS = 1.8V.

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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