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CED01N6A中文資料華瑞數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

CED01N6A
廠商型號

CED01N6A
功能描述

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
文件大小

412.24 Kbytes
頁面數(shù)量

5 頁
生產(chǎn)廠商 CET-MOS Technology Corp.
企業(yè)簡稱

CET-MOS【華瑞】

中文名稱

華瑞功率電子股份有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二
更新時間

2025-5-22 22:13:00
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CED01N6A規(guī)格書詳情

FEATURES

600V, 1.1A, RDS(ON) = 12W @VGS = 10V.

Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).

High power and current handing capability.

TO-251 & TO-252 package.

RoHS compliant.

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
NXP/恩智浦
24+
TSSOP14
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公司現(xiàn)貨庫存,支持實單
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TO-251
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進(jìn)口原裝現(xiàn)貨供應(yīng),原裝 假一罰十
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