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CED03N8中文資料華瑞數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

CED03N8
廠商型號(hào)

CED03N8

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

643.57 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

4 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 CET-MOS Technology Corp.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

CET-MOS華瑞

中文名稱

華瑞功率電子股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-5-6 23:40:00

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CED03N8規(guī)格書詳情

FEATURES

800V, 2.5A, RDS(ON) = 4.8W @VGS = 10V.

Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).

High power and current handing capability.

TO-251 & TO-252 package.

RoHS compliant.

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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TO-251
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一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種
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公司進(jìn)口原裝現(xiàn)貨 批量特價(jià)支持
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全新原裝現(xiàn)貨/假一罰百!
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