CED11P10中文資料華瑞數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

廠商型號(hào) |
CED11P10 |
功能描述 | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
文件大小 |
547.91 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
5 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | CET-MOS Technology Corp. |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
CET-MOS【華瑞】 |
中文名稱 | 華瑞功率電子股份有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-3-31 15:20:00 |
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CED11P10規(guī)格書詳情
FEATURES
-100V, -7A, RDS(ON) = 270mW @VGS = -10V.
Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).
High power and current handing capability.
TO-251 & TO-252 package.
RoHS compliant.
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
VBsemi |
23+ |
TO-251 |
8560 |
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23+ |
TO-251 |
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