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CEE02N6A中文資料華瑞數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

CEE02N6A
廠商型號

CEE02N6A

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

461.29 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 Chino-Excel Technology
企業(yè)簡稱

CET華瑞

中文名稱

華瑞股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-4-30 19:10:00

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CEE02N6A規(guī)格書詳情

FEATURES

■ 600V, 1.3A, RDS(ON) = 8.5Ω @VGS = 10V.

■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).

■ High power and current handing capability.

■ Lead-free plating ; RoHS compliant.

■ TO-126 package.

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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