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CEEF02N65G中文資料華瑞數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

CEEF02N65G
廠商型號

CEEF02N65G

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

557.84 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 CET-MOS Technology Corp.
企業(yè)簡稱

CET-MOS華瑞

中文名稱

華瑞功率電子股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2025-2-7 14:30:00

CEEF02N65G規(guī)格書詳情

FEATURES

650V, 2.0A, RDS(ON) = 5.0W @VGS = 10V.

Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).

High power and current handing capability.

TO-126F package.

Lead-free plating ; RoHS compliant.

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
NCC/UCC
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一站配齊 原盒原包現(xiàn)貨 朱S Q2355605126
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