CEF02N9中文資料華瑞數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

廠商型號(hào) |
CEF02N9 |
功能描述 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
文件大小 |
623.18 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
4 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | CET-MOS Technology Corp. |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
CET-MOS【華瑞】 |
中文名稱 | 華瑞功率電子股份有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-5-20 23:08:00 |
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CEF02N9規(guī)格書詳情
FEATURES
Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).
High power and current handing capability.
RoHS compliant.
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
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NXP/恩智浦 |
24+ |
BGA |
11016 |
公司現(xiàn)貨庫(kù)存,支持實(shí)單 |
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TO-220 |
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原裝正品,假一罰十! |
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CET |
23+ |
TO-220F |
6000 |
原裝正品,支持實(shí)單 |
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CET |
21+ |
TO-220F |
403 |
原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價(jià) | ||
CET |
23+ |
TO-220F |
28000 |
原裝正品 |
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CET |
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CET |
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CET/華瑞 |
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TO-220F |
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