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CEH2608A中文資料華瑞數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

CEH2608A
廠商型號

CEH2608A

功能描述

Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N Channel)

文件大小

471.84 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 CET-MOS Technology Corp.
企業(yè)簡稱

CET-MOS華瑞

中文名稱

華瑞功率電子股份有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2025-5-23 8:26:00

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CEH2608A規(guī)格書詳情

20V, 4A, RDS(ON) = 45mW @VGS = 4.5V.

FEATURES

RDS(ON) = 55mW @VGS = 2.5V.

RDS(ON) = 110mW @VGS = 1.8V.

Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).

High power and current handing capability.

Surface mount Package.

RoHS compliant.

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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