CEP68N10L中文資料華瑞數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號 |
CEP68N10L |
功能描述 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
文件大小 |
935.98 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
5 頁 |
生產(chǎn)廠商 | CET-MOS Technology Corp. |
企業(yè)簡稱 |
CET-MOS【華瑞】 |
中文名稱 | 華瑞功率電子股份有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-5-7 22:30:00 |
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CEP68N10L規(guī)格書詳情
FEATURES
100V, 69A, RDS(ON) = 9.8mW @VGS = 10V.
Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).
High power and current handing capability.
TO-220 & TO-263 package.
RoHS compliant.
RDS(ON) = 13mW @V GS = 4.5V.
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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CET |
24+ |
TO-220 |
80000 |
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CET |
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TO220/3 |
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CET |
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TO-220 |
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CET/華瑞 |
22+ |
TO-220 |
100000 |
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CET |
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TO-220 |
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CET |
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TO-220 |
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原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票 |
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CET |
23+ |
TO-220 |
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公司只有原裝 歡迎來電咨詢。 |
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SMD |
23+ |
NA |
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MICROCHIP |
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SOP |
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CET |
21+ |
TO-220 |
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原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
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