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HX720

24-BitADCwithOn-chip3.3VOutputRegulator

AVIAAvia Semiconductor Co., Ltd.

海芯科技海芯科技（廈門）有限公司

IGL720R

LockingDevices

COOPER

COOPER

IRF720

N-ChannelPowerMOSFETs,3.0A,350-400V

Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighvoltage,highspaedapplications,suchasoff-lineswitchingpowersupplies,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversanddriversandotherpulsecircuits. ?LowRDs(on) ?VGS

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

IRF720

3.3A,400V,1.800Ohm,N-ChannelPowerMOSFET

ThisN-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchasswitching

Intersil

Intersil Corporation

IRF720

N-CHANNELPOWERMOSFETS

FEATURES ?LowerRDS(on) ?Improvedinductiveruggedness ?Fastswitchingtimes ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?Lowerinputcapacitance ?Extendedsafeoperationarea ?Improvedhightemperaturereliability

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半導(dǎo)體

IRF720

TRANSISTORSN-CHANNEL

400Volt,1.8OhmHEXFETTO-220ABPlasticPackage TheHEXFET?technologyisthekeytoInternationalRectifiersadvancedlineofpowerMOSFETtransistor. FEATURES: ■RepetitiveAvalancheRatings ■Dynamicdv/dtRatings ■SimpleDriveRequirement ■EaseofParalleling

IRF

International Rectifier

IRF720

PowerMOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipation

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRF720

iscN-ChannelMOSFETTransistor

DESCRITION ·Designedespeciallyforhighvoltage,highspeedapplications,suchasoff-lineswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddrivers. FEATURES ·LowRDS(on) ·VGSRatedat±20V ·SiliconGateforFastSwitchingSpeed ·Rugged ·LowDriveRequirements

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRF720

400Volt,1.8OhmHEXFETTO-220ABPlasticPackage

400Volt,1.8OhmHEXFETTO-220ABPlasticPackage TheHEXFETtransistorsalsofeatureallofthewellestablishedadvantagesofMOSFETssuchasvoltagecontrol,veryfastswitching,easeofparallelingandtemperaturestabilityoftheelectricalparameters. Theyarewellsuitedforapplications

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

IRF720

N-ChannelPowerMOSFETs

ARTSCHIP

ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    CF720AB01006096

  • 制造商：

    Laird Technologies EMI

  • 類別：

    RF/IF，射頻/中頻和 RFID > RFI 和 EMI - 屏蔽和吸收材料

  • 系列：

    EcoFoam?

  • 包裝：

    散裝

  • 類型：

    導(dǎo)電泡沫板

  • 形狀：

    矩形

  • 長(zhǎng)度：

    24.000"（609.60mm）

  • 寬度：

    0.394"（10.00mm）

  • 厚度 - 總體：

    0.080"（2.00mm）

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 70°C

  • 粘合劑：

    導(dǎo)電，單面

  • 描述：

    RF EMI COND FOAM SHEET 24X0.394\

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更多CF720供應(yīng)商 更新時(shí)間2021-9-14 10:50:00

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