CGH40120F分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
CGH40120F |
| 參數(shù)屬性 | CGH40120F 封裝/外殼為440193；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：RF MOSFET HEMT 28V 440193 |
| 功能描述 | 120 W, RF Power GaN HEMT |
| 封裝外殼 | 440193 |
| 文件大小 |
1.5883 Mbytes |
| 頁面數(shù)量 |
13 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | WOLFSPEED, INC. |
| 企業(yè)簡稱 |
WOLFSPEED |
| 中文名稱 | WOLFSPEED, INC.官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-5-24 18:35:00 |
| 人工找貨 | CGH40120F價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
CGH40120F規(guī)格書詳情
CGH40120F屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由WOLFSPEED, INC.制造生產(chǎn)的CGH40120F晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
Description
Cree’s CGH40120F is an unmatched, gallium nitride (GaN) high
electron mobility transistor (HEMT). The CGH40120F, operating
from a 28 volt rail, offers a general purpose, broadband solution
to a variety of RF and microwave applications. GaN HEMTs offer
high efficiency, high gain and wide bandwidth capabilities making
the CGH40120F ideal for linear and compressed amplifier circuits.
The transistor is available in a flange package. Package Types: 440193
PN: CGH40120F
Features
? Up to 2.5 GHz Operation
? 20 dB Small Signal Gain at 1.0 GHz
? 15 dB Small Signal Gain at 2.0 GHz
? 120 W Typical PSAT
? 70 Efficiency at PSAT
? 28 V Operation
Applications
? 2-Way Private Radio
? Broadband Amplifiers
? Cellular Infrastructure
? Test Instrumentation
? Class A, AB, Linear amplifiers suitable for OFDM,
W-CDMA, EDGE, CDMA waveforms
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
CGH40120F
- 制造商：
Wolfspeed, Inc.
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 系列：
GaN
- 包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型：
HEMT
- 頻率：
0Hz ~ 4GHz
- 增益：
19dB
- 額定電流（安培）：
28A
- 功率 - 輸出：
120W
- 封裝/外殼：
440193
- 供應(yīng)商器件封裝：
440193
- 描述：
RF MOSFET HEMT 28V 440193
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
CREE |
19+ |
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