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TIM1213-18L

MICROWAVEPOWERGaAsFET

FEATURES ?BROADBANDINTERNALLYMATCHEDFET ?HIGHPOWER P1dB=42.5dBmat12.7GHzto13.2GHz ?HIGHGAIN G1dB=6.0dBat12.7GHzto13.2GHz ?LOWINTERMODULATIONDISTORTION IM3(MIN.)=-25dBcatPout=36.0dBm(SingleCarrierLevel) ?HERMETICALLYSEALEDPACKAGE

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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更多CM1213-18SR供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-21 15:53:00

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