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CMKT5087	文件：190.73 Kbytes Page：2 Pages	ULTRAmini. SURFACE MOUNT SILICON TRANSISTORS DESCRIPTION: TheCentralSemiconductorCMKT5078(oneeachNPNandPNPcomplementary),CMKT5087(twosinglePNP),andCMKT5088(twosingleNPN)arecombinationsoftransistorsinaspacesavingSOT-363ULTRAmini?package,designedforapplicationsrequiringhighgainandlownoise. FEATURES: ?U	CentralCentral Semiconductor Corp 美國(guó)中央半導(dǎo)體	Central
CMKT5087	文件：433.82 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT DUAL SILICON TRANSISTORS	CentralCentral Semiconductor Corp 美國(guó)中央半導(dǎo)體	Central
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CMKT5087_15	文件：433.82 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT DUAL SILICON TRANSISTORS	CentralCentral Semiconductor Corp 美國(guó)中央半導(dǎo)體	Central
CMLT5087E	文件：450.59 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTSILICONDUALTRANSISTORS	CentralCentral Semiconductor Corp 美國(guó)中央半導(dǎo)體	Central
CMLT5087E	文件：525.65 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONDUALTRANSISTORS	CentralCentral Semiconductor Corp 美國(guó)中央半導(dǎo)體	Central
CMLT5087E	文件：122.31 Kbytes Page：2 Pages	ENHANCEDSPECIFICATIONPICOminiSURFACEMOUNTSILICONDUALTRANSISTORS	CentralCentral Semiconductor Corp 美國(guó)中央半導(dǎo)體	Central
CMLT5087EM	文件：751.11 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTDUAL,MATCHEDPNPSILICONTRANSISTORS DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMLT5087EMconsistsoftwoindividual,isolated5087EPNPsilicontransistorswithmatchedVBE(ON)characteristics.Thisdeviceisdesignedforapplicationsrequiringhighgainandlownoise. MARKINGCODE:L87 FEATURES: ?TransistorpairmatchedforVBE(O	CentralCentral Semiconductor Corp 美國(guó)中央半導(dǎo)體	Central
CMPT5087	文件：78.7 Kbytes Page：2 Pages	PNPSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMPT5086andCMPT5087arePNPsilicontransistorsmanufacturedbytheepitaxialplanarprocess,epoxymoldedinasurfacemountpackage,designedforapplicationsrequiringhighgainandlownoise MARKINGCODES:CMPT5086:C2P	CentralCentral Semiconductor Corp 美國(guó)中央半導(dǎo)體	Central
CMPT5087	文件：329.73 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTPNPSILICONTRANSISTOR	CentralCentral Semiconductor Corp 美國(guó)中央半導(dǎo)體	Central

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
CMKT5087
功能描述：
兩極晶體管 - BJT Dual - PNP/PNP
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
PNP 集電極—基極電壓
VCBO：
集電極—發(fā)射極最大電壓
VCEO：
- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓
VEBO：
- 6 V
增益帶寬產(chǎn)品fT：
直流集電極/Base Gain hfe
Min：
100 A
安裝風(fēng)格：
SMD/SMT
封裝/箱體：
PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
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