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CP211分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

CP211
廠商型號(hào)

CP211
參數(shù)屬性

CP211 包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)；產(chǎn)品描述：TRANS BIPOLAR POWER
功能描述

Power Transistor NPN - Amp/Switch Transistor Chip
TRANS BIPOLAR POWER
文件大小

218.46 Kbytes
頁面數(shù)量

2 頁
生產(chǎn)廠商 Central Semiconductor Corp
企業(yè)簡稱

Central

中文名稱

美國中央半導(dǎo)體官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-19 22:58:00
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CP211規(guī)格書詳情

CP211屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)。由美國中央半導(dǎo)體制造生產(chǎn)的CP211晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號(hào)放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一，對(duì)于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢，但對(duì)于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號(hào)的應(yīng)用而言，它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

PROCESS DETAILS

Process EPITAXIAL PLANAR

Die Size 80 x 99 MILS

Die Thickness 12.5 MILS

Base Bonding Pad Area 12 x 32 MILS

Emitter Bonding Pad Area 13 x 48 MILS

Top Side Metalization Al - 30,000?

Back Side Metalization Cr/Ni/Ag - 16,000?

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    CP211-TIP41C-CT

  • 制造商：

    Central Semiconductor Corp

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 包裝：

    散裝

  • 描述：

    TRANS BIPOLAR POWER

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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