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CPH6003A-TL-E分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

CPH6003A-TL-E
廠商型號

CPH6003A-TL-E

參數(shù)屬性

CPH6003A-TL-E 封裝/外殼為SOT-23-6 細(xì)型,TSOT-23-6;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 12V 7GHZ 6CPH

功能描述

High-frequency Medium-power Amplifier Applications

封裝外殼

SOT-23-6 細(xì)型,TSOT-23-6

文件大小

531.35 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Sanyo Semicon Device
企業(yè)簡稱

SANYO三洋

中文名稱

三洋電機(jī)株式會社官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-4 23:12:00

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CPH6003A-TL-E規(guī)格書詳情

Features

? High gain (fT=7GHz typ)

? High Current (IC=150mA)

? Ultraminiature and thin 6pin package

? Large Collector Disspation (800mW)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    CPH6003A-TL-E

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    12V

  • 頻率 - 躍遷:

    7GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):

    1.8dB @ 1GHz

  • 增益:

    9dB

  • 功率 - 最大值:

    800mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 50mA,5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    150mA

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SOT-23-6 細(xì)型,TSOT-23-6

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    6-CPH

  • 描述:

    RF TRANS NPN 12V 7GHZ 6CPH

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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