CPV363M4K_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-IGBT-模塊-Vishay General Semiconductor - Diodes Division

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  • 廠(chǎng)家型號(hào):

    CPV363M4K

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 庫(kù)存數(shù)量:

    0

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-IGBT-模塊

  • 封裝外殼:

    19-SIP(13 引線(xiàn)),IMS-2

  • 包裝:

    托盤(pán)

  • 安裝類(lèi)型:

    通孔

  • 更新時(shí)間:

    2025-5-23 17:04:00

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原廠(chǎng)料號(hào):CPV363M4K品牌:Vishay General Semiconductor - Diodes Division

資料說(shuō)明:IGBT MODULE 600V 11A 36W IMS-2

CPV363M4K是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊。制造商Vishay General Semiconductor - Diodes Division生產(chǎn)封裝19-SIP(13 引線(xiàn)),IMS-2的CPV363M4K晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件,主要用作電子開(kāi)關(guān),兼具高效率和快速切換優(yōu)點(diǎn)。作為模塊,IGBT 配置為非對(duì)稱(chēng)式橋; 升壓、降壓和制動(dòng)斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。

  • 芯片型號(hào):

    cpv363m4k

  • 規(guī)格書(shū):

    原廠(chǎng)下載 下載

  • 資料說(shuō)明:

    IGBT MODULE 600V 11A 36W IMS-2

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    CPV363M4K

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 包裝:

    托盤(pán)

  • 配置:

    三相反相器

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2V @ 15V,11A

  • 輸入:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • NTC 熱敏電阻:

    無(wú)

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類(lèi)型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    19-SIP(13 引線(xiàn)),IMS-2

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    IMS-2

  • 描述:

    IGBT MODULE 600V 11A 36W IMS-2

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
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