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CRF24010D中文資料科銳數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

CRF24010D
廠商型號

CRF24010D

功能描述

10 W SiC RF Power MESFET Die

文件大小

843.78 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Cree, Inc
企業(yè)簡稱

Cree科銳

中文名稱

科銳官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-5-25 16:30:00

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CRF24010D規(guī)格書詳情

10 W SiC RF Power MESFET Die

Cree’s CRF24010 is a silicon carbide (SiC) RF power Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor (MESFET). SiC has superior properties compared to silicon or gallium arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity. SiC MESFETs offer greater power density and wider bandwidths compared to Si and GaAs transistors.

FEATURES

? 15 dB Small Signal Gain

? 10 W Minimum P1dB

? 48 V Operation

? High Breakdown Voltage

? High Temperature Operation

? Up to 5 GHz Operation

? High Efficiency

APPLICATIONS

? Wideband Military Communications

? Secure Comms for Homeland Defense

? Class A, AB Amplifiers

? TDMA, EDGE, CDMA and W-CDMA

? Broadband Amplifiers

? MMDS

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    CRF24010D

  • 制造商:

    CREE

  • 制造商全稱:

    Cree, Inc

  • 功能描述:

    10 W SiC RF Power MESFET Die

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
CreeInc
24+
52
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BOURNS/伯恩斯
24+
SMD
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