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CS8312YN8_集成電路（IC） 柵極驅(qū)動(dòng)器-安森美半導(dǎo)體

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原廠料號(hào)：CS8312YN8品牌：onsemi

資料說明：IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP

CS8312YN8是集成電路（IC） > 柵極驅(qū)動(dòng)器。制造商ONSEMI/安森美半導(dǎo)體生產(chǎn)封裝8-DIP（0.300"，7.62mm）的CS8312YN8柵極驅(qū)動(dòng)器柵極驅(qū)動(dòng)器電源管理集成電路 (PMIC) 可用于提供隔離、放大、參考位移、自舉或其他必要功能，這些功能可將來自電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中控制設(shè)備的信號(hào)連接到電源被控制通過的半導(dǎo)體設(shè)備（通常為 FET 或 IGBT）。任何特定設(shè)備提供的確切功能各不相同，但與它適合驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體配置相關(guān)。

  • 芯片型號(hào)：

    cs8312yn8

  • 規(guī)格書：

    原廠下載 下載

  • 企業(yè)簡稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 資料說明：

    IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    CS8312YN8

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    集成電路（IC） > 柵極驅(qū)動(dòng)器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 驅(qū)動(dòng)配置：

    低端

  • 通道類型：

    單路

  • 柵極類型：

    IGBT，N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電：

    7V ~ 10V

  • 輸入類型：

    非反相

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    8-DIP（0.300"，7.62mm）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    8-PDIP

  • 描述：

    IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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