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PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Th | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體 | Vishay | ||
PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Th | KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd. | KERSEMI | ||
iscP-ChannelMOSFETTransistor | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | ||
PowerMOSFET FEATURES ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Surfacemount(IRFR9014,SiHFR9014) ?Straightlead(IRFU9014,SiHFU9014) ?Availableintapeandreel ?P-channel ?Fastswitching ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體 | Vishay | ||
P-ChannelEnhancementModeMOSFETl Features *Vos=60V=-13A Rosion100mQ@Ves=10V Rosion110mQ@Vos=-4.5V(TYP) | TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 臺舟電子臺舟電子股份有限公司 | TECHPUBLIC | ||
iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-5.1A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.3Ω(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | ||
HEXFET?PowerMOSFET Description ThirdGenerationHESFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. ?DynamicdV/dtRating ?RepetitiveAvalancheRated ?SurfaceMount(IRFR9014) ?StraightL | IRF International Rectifier | IRF | ||
PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Th | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體 | Vishay | ||
PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Th | KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd. | KERSEMI | ||
PowerMOSFET | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體 | Vishay |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性質(zhì)：
通用型 （Uni）_低噪放大 （ra）
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
30V
- 最大電流允許值：
0.05A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號：
- 最大耗散功率：
0.3W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號：
A-20
- vtest：
30
- htest：
999900
- atest：
0.05
- wtest：
0.3
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
N/A |
23+ |
80000 |
專注配單,只做原裝進口現(xiàn)貨 |
詢價 | |||
N/A |
23+ |
80000 |
專注配單,只做原裝進口現(xiàn)貨 |
詢價 | |||
NS |
2020+ |
TO-92 |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價 | ||
NS |
02+ |
TO-92 |
4600 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | ||
NS |
2023+ |
TO-92 |
8800 |
正品渠道現(xiàn)貨 終端可提供BOM表配單。 |
詢價 | ||
NS |
20+ |
TO-92 |
4600 |
進口原裝現(xiàn)貨,假一賠十 |
詢價 | ||
23+ |
TO-92 |
32687 |
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種 |
詢價 | |||
NS/國半 |
24+ |
65200 |
詢價 | ||||
原廠 |
23+ |
DIP8 |
3755 |
正品原裝貨價格低 |
詢價 | ||
RICHTEK |
2020+ |
QFN |
225 |
百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可 |
詢價 |
