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CY14B101NA-ZS45XIT

1 Mbit (128K x 8/64K x 16) nvSRAM

FunctionalDescription TheCypressCY14B101LA/CY14B101NAisafaststaticRAM,withanonvolatileelementineachmemorycell.Thememoryisorganizedas128Kbytesof8bitseachor64Kwordsof16bitseach.TheembeddednonvolatileelementsincorporateQuantumTraptechnology,producingthewor

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

CY14B101NA-ZS45XIT

1 Mbit (128K x 8/64K x 16) nvSRAM

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賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

CY14B101NA-ZS45XIT

1-Mbit (128 K ? 8/64 K ? 16) nvSRAM

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CY14B101NA-ZS45XIT

Package：44-TSOP（0.400"，10.16mm 寬）；包裝：卷帶（TR） 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC NVSRAM 1MBIT PAR 44TSOP II

Cypress Semiconductor Corp

Cypress Semiconductor Corp

Cypress Semiconductor Corp

CY14B101NA-ZS45XC

1Mbit(128Kx8/64Kx16)nvSRAM

FunctionalDescription TheCypressCY14B101LA/CY14B101NAisafaststaticRAM,withanonvolatileelementineachmemorycell.Thememoryisorganizedas128Kbytesof8bitseachor64Kwordsof16bitseach.TheembeddednonvolatileelementsincorporateQuantumTraptechnology,producingthewor

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

CY14B101NA-ZS45XCT

1Mbit(128Kx8/64Kx16)nvSRAM

FunctionalDescription TheCypressCY14B101LA/CY14B101NAisafaststaticRAM,withanonvolatileelementineachmemorycell.Thememoryisorganizedas128Kbytesof8bitseachor64Kwordsof16bitseach.TheembeddednonvolatileelementsincorporateQuantumTraptechnology,producingthewor

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

CY14B101NA-ZS45XI

1-Mbit(128K?8/64K?16)nvSRAM

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賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

CY14B101NA-ZS45XI

1Mbit(128Kx8/64Kx16)nvSRAM

FunctionalDescription TheCypressCY14B101LA/CY14B101NAisafaststaticRAM,withanonvolatileelementineachmemorycell.Thememoryisorganizedas128Kbytesof8bitseachor64Kwordsof16bitseach.TheembeddednonvolatileelementsincorporateQuantumTraptechnology,producingthewor

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

CY14B101NA-ZS45XI

1Mbit(128Kx8/64Kx16)nvSRAM

CypressCypressSemiconductor

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    CY14B101NA-ZS45XIT

  • 制造商：

    Cypress Semiconductor Corp

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲器類型：

    非易失

  • 存儲器格式：

    NVSRAM

  • 技術(shù)：

    NVSRAM（非易失性 SRAM）

  • 存儲容量：

    1Mb（64K x 16）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    45ns

  • 電壓 - 供電：

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    44-TSOP（0.400"，10.16mm 寬）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    44-TSOP II

  • 描述：

    IC NVSRAM 1MBIT PAR 44TSOP II

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Cypress(賽普拉斯)
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更多CY14B101NA-ZS45XIT供應(yīng)商 更新時間2025-2-13 16:30:00

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