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CY7C1061G30集成電路（IC）的存儲器規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
CY7C1061G30 |
| 參數(shù)屬性 | CY7C1061G30 封裝/外殼為48-VFBGA；包裝為卷帶（TR）；類別為集成電路（IC）的存儲器；產(chǎn)品描述：IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48VFBGA |
| 功能描述 | 16-Mbit (1 M words ? 16 bit) Static RAM with Error-Correcting Code (ECC) |
| 封裝外殼 | 48-VFBGA |
| 文件大小 |
563.24 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
18 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | CypressSemiconductor |
| 企業(yè)簡稱 |
Cypress【賽普拉斯】 |
| 中文名稱 | 賽普拉斯半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-2-23 16:54:00 |
| 人工找貨 | CY7C1061G30價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
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CY7C1061G30規(guī)格書詳情
Functional Description
CY7C1061G and CY7C1061GE are high-performance CMOS fast static RAM devices with embedded ECC[1]. Both devices are offered in single and dual chip enable options and in multiple pin configurations. The CY7C1061GE device includes an ERR pin that signals a single-bit error-detection and correction event during a read cycle.
Features
■ High speed
? tAA = 10 ns/15 ns
■ Embedded error-correcting code (ECC) for single-bit error correction
■ Low active and standby currents
? ICC = 90-mA typical at 100 MHz
? ISB2 = 20-mA typical
■ Operating voltage range: 1.65 V to 2.2 V, 2.2 V to 3.6 V, and 4.5 V to 5.5 V
■ 1.0-V data retention
■ Transistor-transistor logic (TTL) compatible inputs and outputs
■ Error indication (ERR) pin to indicate 1-bit error detection and correction
■ Available in Pb-free 48-pin TSOP I, 54-pin TSOP II, and 48-ball VFBGA packages
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
CY7C1061G30-10BV1XET
- 制造商：
Cypress Semiconductor Corp
- 類別：
集成電路（IC） > 存儲器
- 包裝：
卷帶（TR）
- 存儲器類型：
易失
- 存儲器格式：
SRAM
- 技術(shù)：
SRAM - 異步
- 存儲容量：
16Mb（1M x 16）
- 存儲器接口：
并聯(lián)
- 寫周期時間 - 字，頁：
10ns
- 電壓 - 供電：
2.2V ~ 3.6V
- 工作溫度：
-40°C ~ 125°C（TA）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
48-VFBGA
- 供應(yīng)商器件封裝：
48-VFBGA（6x8）
- 描述：
IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48VFBGA
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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