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CY7C1263V18

36-Mbit QDR??II SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

CY7C1263V18-300BZC

36-Mbit QDR??II SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

CY7C1263V18-300BZI

36-Mbit QDR??II SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

CY7C1263V18-300BZXC

36-Mbit QDR??II SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

CY7C1263V18-300BZXI

36-Mbit QDR??II SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

CY7C1263V18-333BZC

36-Mbit QDR??II SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

CY7C1263V18-333BZI

36-Mbit QDR??II SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

CY7C1263V18-333BZXC

36-Mbit QDR??II SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

CY7C1263V18-333BZXI

36-Mbit QDR??II SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

CY7C1263V18-375BZC

36-Mbit QDR??II SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    CY7C1263V18

  • 功能描述：

    靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 36M QDRII+

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Cypress Semiconductor

  • 存儲容量：

    16 Mbit

  • 組織：

    1 M x 16

  • 訪問時間：

    55 ns

  • 電源電壓-最大：

    3.6 V

  • 電源電壓-最?。?/span>

    2.2 V

  • 最大工作電流：

    22 uA

  • 最大工作溫度：

    + 85 C

  • 最小工作溫度：

    - 40 C

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    TSOP-48

  • 封裝：

    Tray

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Cypress
165-FBGA
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Cypress
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CYPRESS
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NA
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Cypress Semiconductor Corp
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更多CY7C1263V18供應(yīng)商 更新時間2025-2-22 16:20:00

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