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CY7C1361C-100BGC

9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM

FunctionalDescription[1] TheCY7C1361C/CY7C1363Cisa3.3V,256Kx36and512Kx18SynchronousFlowthroughSRAMs,respectivelydesignedtointerfacewithhigh-speedmicroprocessorswithminimumgluelogic.Maximumaccessdelayfromclockriseis6.5ns(133-MHzversion).A2-biton-chipcounter

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導體公司

CY7C1361C-100BGC

9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM

CypressCypressSemiconductor

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CY7C1361C-100BGC

9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM

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CY7C1361C-100BGC

9-Mbit (256 K ? 36/512 K ? 18) Flow-Through SRAM

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CY7C1361C-100BGC

Package：119-BGA；包裝：托盤 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA

Cypress Semiconductor Corp

Cypress Semiconductor Corp

Cypress Semiconductor Corp

CY7C1361C-100BGCT

Package：119-BGA；包裝：卷帶（TR） 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA

Cypress Semiconductor Corp

Cypress Semiconductor Corp

Cypress Semiconductor Corp

CY7C1361C-100BGI

9-Mbit(256Kx36/512Kx18)Flow-ThroughSRAM

CypressCypressSemiconductor

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CY7C1361C-100BGI

9-Mbit(256Kx36/512Kx18)Flow-ThroughSRAM

FunctionalDescription[1] TheCY7C1361C/CY7C1363Cisa3.3V,256Kx36and512Kx18SynchronousFlowthroughSRAMs,respectivelydesignedtointerfacewithhigh-speedmicroprocessorswithminimumgluelogic.Maximumaccessdelayfromclockriseis6.5ns(133-MHzversion).A2-biton-chipcounter

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CY7C1361C-100BGXC

9-Mbit(256Kx36/512Kx18)Flow-ThroughSRAM

CypressCypressSemiconductor

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CY7C1361C-100BGXI

9-Mbit(256Kx36/512Kx18)Flow-ThroughSRAM

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    CY7C1361C-100BGC

  • 制造商：

    Cypress Semiconductor Corp

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 同步，SDR

  • 存儲容量：

    9Mb（256K x 36）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電：

    3.135V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    119-BGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    119-PBGA（14x22）

  • 描述：

    IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA

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更多CY7C1361C-100BGC供應(yīng)商 更新時間2025-2-13 16:50:00

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