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CY7C1371D	文件：447.72 Kbytes Page：30 Pages	18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM with NoBLTM Architecture FunctionalDescription[1] TheCY7C1371D/CY7C1373Disa3.3V,512Kx36/1Mbitx18SynchronousFlow-throughBurstSRAMdesignedspecificallytosupportunlimitedtrueback-to-backRead/Writeoperationswithouttheinsertionofwaitstates.TheCY7C1371D/CY7C1373DisequippedwiththeadvancedNo	CypressCypressSemiconductor 賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司	Cypress
CY7C1371D	文件：1.01162 Mbytes Page：29 Pages	18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM with NoBL??Architecture	CypressCypressSemiconductor 賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司	Cypress
CY7C1371D-100AXC	文件：447.72 Kbytes Page：30 Pages	18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM with NoBLTM Architecture FunctionalDescription[1] TheCY7C1371D/CY7C1373Disa3.3V,512Kx36/1Mbitx18SynchronousFlow-throughBurstSRAMdesignedspecificallytosupportunlimitedtrueback-to-backRead/Writeoperationswithouttheinsertionofwaitstates.TheCY7C1371D/CY7C1373DisequippedwiththeadvancedNo	CypressCypressSemiconductor 賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司	Cypress
CY7C1371D-100AXI	文件：447.72 Kbytes Page：30 Pages	18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM with NoBLTM Architecture FunctionalDescription[1] TheCY7C1371D/CY7C1373Disa3.3V,512Kx36/1Mbitx18SynchronousFlow-throughBurstSRAMdesignedspecificallytosupportunlimitedtrueback-to-backRead/Writeoperationswithouttheinsertionofwaitstates.TheCY7C1371D/CY7C1373DisequippedwiththeadvancedNo	CypressCypressSemiconductor 賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司	Cypress
CY7C1371D-100BGC	文件：447.72 Kbytes Page：30 Pages	18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM with NoBLTM Architecture FunctionalDescription[1] TheCY7C1371D/CY7C1373Disa3.3V,512Kx36/1Mbitx18SynchronousFlow-throughBurstSRAMdesignedspecificallytosupportunlimitedtrueback-to-backRead/Writeoperationswithouttheinsertionofwaitstates.TheCY7C1371D/CY7C1373DisequippedwiththeadvancedNo	CypressCypressSemiconductor 賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司	Cypress
CY7C1371D-100BGI	文件：447.72 Kbytes Page：30 Pages	18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM with NoBLTM Architecture FunctionalDescription[1] TheCY7C1371D/CY7C1373Disa3.3V,512Kx36/1Mbitx18SynchronousFlow-throughBurstSRAMdesignedspecificallytosupportunlimitedtrueback-to-backRead/Writeoperationswithouttheinsertionofwaitstates.TheCY7C1371D/CY7C1373DisequippedwiththeadvancedNo	CypressCypressSemiconductor 賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司	Cypress
CY7C1371D-100BGXC	文件：447.72 Kbytes Page：30 Pages	18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM with NoBLTM Architecture FunctionalDescription[1] TheCY7C1371D/CY7C1373Disa3.3V,512Kx36/1Mbitx18SynchronousFlow-throughBurstSRAMdesignedspecificallytosupportunlimitedtrueback-to-backRead/Writeoperationswithouttheinsertionofwaitstates.TheCY7C1371D/CY7C1373DisequippedwiththeadvancedNo	CypressCypressSemiconductor 賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司	Cypress
CY7C1371D-100BGXI	文件：447.72 Kbytes Page：30 Pages	18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM with NoBLTM Architecture FunctionalDescription[1] TheCY7C1371D/CY7C1373Disa3.3V,512Kx36/1Mbitx18SynchronousFlow-throughBurstSRAMdesignedspecificallytosupportunlimitedtrueback-to-backRead/Writeoperationswithouttheinsertionofwaitstates.TheCY7C1371D/CY7C1373DisequippedwiththeadvancedNo	CypressCypressSemiconductor 賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司	Cypress
CY7C1371D-100BZC	文件：447.72 Kbytes Page：30 Pages	18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM with NoBLTM Architecture FunctionalDescription[1] TheCY7C1371D/CY7C1373Disa3.3V,512Kx36/1Mbitx18SynchronousFlow-throughBurstSRAMdesignedspecificallytosupportunlimitedtrueback-to-backRead/Writeoperationswithouttheinsertionofwaitstates.TheCY7C1371D/CY7C1373DisequippedwiththeadvancedNo	CypressCypressSemiconductor 賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司	Cypress
CY7C1371D-100BZI	文件：447.72 Kbytes Page：30 Pages	18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM with NoBLTM Architecture FunctionalDescription[1] TheCY7C1371D/CY7C1373Disa3.3V,512Kx36/1Mbitx18SynchronousFlow-throughBurstSRAMdesignedspecificallytosupportunlimitedtrueback-to-backRead/Writeoperationswithouttheinsertionofwaitstates.TheCY7C1371D/CY7C1373DisequippedwiththeadvancedNo	CypressCypressSemiconductor 賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司	Cypress

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
CY7C1371D
功能描述：
靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 512Kx36 3.3V NoBL Sync FT 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 COM
RoHS：
否
制造商：
Cypress Semiconductor
存儲(chǔ)容量：
16 Mbit
組織：
1 M x 16
訪問時(shí)間：
55 ns
電源電壓-最大：
3.6 V
電源電壓-最?。?/span>
2.2 V
最大工作電流：
22 uA
最大工作溫度：
+ 85 C
最小工作溫度：
- 40 C
安裝風(fēng)格：
SMD/SMT
封裝/箱體：
TSOP-48
封裝：
Tray

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市福田區(qū)億興成電子商行	CY7C1371D			TQFP	2368		詢價(jià)
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	CY7C1371D	CYPRESS/賽普拉斯	23+	QFP	3000	一級(jí)代理原廠VIP渠道,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、	詢價(jià)
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更多CY7C1371D供應(yīng)商更新時(shí)間2025-2-21 8:00:00

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