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D104788中文資料恩智浦?jǐn)?shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

D104788
廠商型號(hào)

D104788

功能描述

RF Power LDMOS Transistor

文件大小

502.63 Kbytes

頁面數(shù)量

18

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

nxp恩智浦

中文名稱

恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-21 9:56:00

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D104788規(guī)格書詳情

N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET

This 38 W RF power LDMOS transistor is designed for cellular base station

applications requiring very wide instantaneous bandwidth capability covering

the frequency range of 1805 to 1995 MHz.

Features

? Designed for wide instantaneous bandwidth applications

? Greater negative gate--source voltage range for improved Class C operation

? Able to withstand extremely high output VSWR and broadband operating

conditions

? Optimized for Doherty applications

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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