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MTP3N50

TMOSPOWERFET3.0AMPERES500VOLTSRDS(on)=3.0OHMS

TMOSE-FET?HighEnergyPowerFET N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSPOWERFET3.0AMPERES500VOLTSRDS(on)=3.0OHMS ThisadvancedhighvoltageTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalanchemodeandswitchefficiently.Thisnewhighenergydevicealsooffer

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

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更多D3N50供應(yīng)商 更新時間2025-4-5 11:00:00