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DE150-501N04A分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
DE150-501N04A |
| 參數(shù)屬性 | DE150-501N04A 封裝/外殼為6-SMD，扁平引線裸焊盤；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：RF MOSFET N-CHANNEL DE150 |
| 功能描述 | RF Power MOSFET |
| 封裝外殼 | 6-SMD，扁平引線裸焊盤 |
| 文件大小 |
148.4 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
5 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | IXYS Corporation |
| 企業(yè)簡稱 |
IXYS |
| 中文名稱 | IXYS Corporation官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-2-19 18:28:00 |
DE150-501N04A規(guī)格書詳情
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
Low Qg and Rg High dv/dt Nanosecond Switching
Features
? Isolated Substrate
? high isolation voltage (>2500V)
? excellent thermal transfer
? Increased temperature and power cycling capability
? IXYS advanced low Qg process
? Low gate charge and capacitances
? easier to drive
? faster switching
? Low RDS(on)
? Very low insertion inductance (<2nH)
? No beryllium oxide (BeO) or other hazardous materials
Advantages
? Optimized for RF and high speed switching at frequencies to >100MHz
? Easy to mount—no insulators needed
? High power density
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
DE150-501N04A
- 制造商：
IXYS-RF
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 系列：
DE
- 包裝：
管件
- 晶體管類型：
N 通道
- 額定電流（安培）：
4.5A
- 功率 - 輸出：
200W
- 封裝/外殼：
6-SMD，扁平引線裸焊盤
- 供應(yīng)商器件封裝：
DE150
- 描述：
RF MOSFET N-CHANNEL DE150
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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