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DE150-501N04A分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
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DE150-501N04A規(guī)格書詳情
[Directed-Energy]
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
Low Qg and Rg High dv/dt Nanosecond Switching
Features
? Isolated Substrate
? high isolation voltage (>2500V)
? excellent thermal transfer
? Increased temperature and power cycling capability
? IXYS advanced low Qg process
? Low gate charge and capacitances
? easier to drive
? faster switching
? Low RDS(on)
? Very low insertion inductance (<2nH)
? No beryllium oxide (BeO) or other hazardous materials
Advantages
? Optimized for RF and high speed switching at frequencies to >100MHz
? Easy to mount—no insulators needed
? High power density
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào):
DE150-501N04A
- 制造商:
IXYS-RF
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
- 系列:
DE
- 包裝:
管件
- 晶體管類型:
N 通道
- 額定電流(安培):
4.5A
- 功率 - 輸出:
200W
- 封裝/外殼:
6-SMD,扁平引線裸焊盤
- 供應(yīng)商器件封裝:
DE150
- 描述:
RF MOSFET N-CHANNEL DE150
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
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