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DG459AK/883	文件：90.74 Kbytes Page：8 Pages	Fault-Protected Single 8-Ch/Differential 4-Ch Analog Multiplexers	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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DG459DJ	文件：162.08 Kbytes Page：13 Pages	Fault-ProtectedSingle8-Ch/Differential4-ChAnalogMultiplexers FEATURES ?FaultandOvervoltageProtection ?AllChannelsOffWhenPowerOff ?Latchup-Proof ?FastSwitching-tA:200ns ?Break-Before-MakeSwitching ?LowOn-Resistance:180W ?LowPowerConsumption:3mW ?TTLandCMOSCompatibleInputs BENEFITS ?ImprovedRuggedness ?PowerLo	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
FDLL459	文件：38.98 Kbytes Page：2 Pages	HighConductanceLowLeakageDiode	NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司	NSC
FDLL459A	文件：38.98 Kbytes Page：2 Pages	HighConductanceLowLeakageDiode	NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司	NSC
FDT459N	文件：89.39 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance.Thesep	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FMMT459	文件：196.34 Kbytes Page：6 Pages	500VSiliconNPNhighvoltageswitchingtransistor Summary V(BR)CEV>500V V(BR)ECV>6V Ic(cont)=150mA Vce(sat)=70mV@50mA Description Thisnewhighvoltagetransistorprovidesuserswithveryefficientperformance,combininglowVCE(SAT)highHfetogiveextremelylowonstatelossesat500Voperation,makingitidealforuseinhi	DIODES Diodes Incorporated	DIODES

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