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DMN2005UFGQ-7

Marking:N05;Package:PowerDI3333-8;20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

Features ?LowRDS(ON)—EnsuresOn-StateLossesareMinimized ?Small-FormFactorThermallyEfficientPackageEnablesHigher DensityEndProducts ?Occupies33oftheBoardAreaOccupiedbySO-8Enabling SmallerEndProduct ?100UnclampedInductiveSwitching,TestinProduction— EnsuresMor

DIODES

Diodes Incorporated

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更多DMN2005UFGQ-7供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-20 17:08:00