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DMN3030LFG

Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

DIODES

Diodes Incorporated

DMN3030LFG_15

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI?

DIODES

Diodes Incorporated

DMN3030LFG-13

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI?

DIODES

Diodes Incorporated

DMN3030LFG-13

Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

DIODES

Diodes Incorporated

DMN3030LFG-7

Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

DIODES

Diodes Incorporated

DMN3030LFG-7

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI?

DIODES

Diodes Incorporated

DMN3030LSS

SINGLEN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET

DIODES

Diodes Incorporated

DMP3030SN

P-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR

Features ?LowOn-Resistance ?LowGateThresholdVoltage ?LowInputCapacitance ?FastSwitchingSpeed ?LeadFreeByDesign/RoHSCompliant(Note2) ?ESDProtectedGate ?GreenDevice(Note4) ?QualifiedtoAEC-Q101standardsforHighReliability

DIODES

Diodes Incorporated

DMP3030SN

P-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR

DIODES

Diodes Incorporated

DMP3030SN

LowOn-Resistance

Features ?LowOn-Resistance ?LowGateThresholdVoltage ?LowInputCapacitance ?FastSwitchingSpeed ?LeadFreeByDesign/RoHSCompliant(Note2) ?ESDProtectedGate ?GreenDevice(Note4) ?QualifiedtoAEC-Q101standardsforHighReliability

ZPSEMI

ZP Semiconductor

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    DMN3030LFG

  • 功能描述：

    MOSFET 650V N-Ch Enh FET 30V VDSS 25V VGSS

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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DFN33
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更多DMN3030LFG供應(yīng)商 更新時間2025-2-11 16:32:00

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