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MUR10005CT	文件：138.8 Kbytes Page：2 Pages	SuperFastRecoveryDiode,100A Features ?DualDiodeConstruction ?LowLeakageCurrent ?Lowforwardvoltagedrop ?Highsurgecurrentcapability ?SuperFastSwitching	NAINA Naina Semiconductor ltd.	NAINA
MUR10005CT	文件：391.03 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode Features ?HighSurgeCapability ?Typesfrom50Vto200VVRRM ?NotESDSensitive	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MUR10005CT	文件：196.59 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode Features ?HighSurgeCapability ?Typesupto600VVRRM	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
MUR10005CT	文件：693.08 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MUR10005CTR	文件：138.8 Kbytes Page：2 Pages	SuperFastRecoveryDiode,100A Features ?DualDiodeConstruction ?LowLeakageCurrent ?Lowforwardvoltagedrop ?Highsurgecurrentcapability ?SuperFastSwitching	NAINA Naina Semiconductor ltd.	NAINA
MUR10005CTR	文件：391.03 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode Features ?HighSurgeCapability ?Typesfrom50Vto200VVRRM ?NotESDSensitive	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MUR10005CTR	文件：403.28 Kbytes Page：2 Pages	HIGHPOWER-SUPERFASTRECTIFIERS Features ?HighSurgeCapability ?Typesupto600VVRRM	AMERICASEMI America Semiconductor, LLC	AMERICASEMI
MUR10005CTR	文件：693.08 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MURF10005	文件：342.23 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MURF10005R	文件：342.23 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC

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晶體管資料

型號：
MJ10005
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-N+Darl+Di
性質(zhì)：
絕緣（Iso）
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
500V
最大電流允許值：
20A
最大工作頻率：
<1MHZ或未知
引腳數(shù)：
2
可代換的型號：
最大耗散功率：
60W
放大倍數(shù)：
β>50
圖片代號：
E-44
vtest：
500
htest：
999900
atest：
20
wtest：
60

詳細(xì)參數(shù)

型號：
MJ10005
制造商：
ON Semiconductor
功能描述：
Trans Darlington NPN 400V 20A 3-Pin(2+Tab) TO-3
制造商：
SPC Multicomp
功能描述：
DARLINGTON TRANSISTOR TO-3
制造商：
SPC Technology
功能描述：
Bipolar Transistor
功能描述：
DARLINGTON TRANSISTOR, TO-3
功能描述：
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 400V, TO-3; Transistor
Polarity：
NPN; Collector Emitter Voltage
V(br)ceo：
400V; Power Dissipation
Pd：
175W; DC Collector
Current：
20A; DC Current Gain
hFE：
50; Operating Temperature
Min：
-65C; No. of
Pins：
2 ;RoHS
Compliant：
Yes

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市明嘉萊科技有限公司	MJ10005	M	24+	TO 3	157366	明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨	詢價
深圳市勤思達(dá)科技有限公司	MJ10005	MOT/ON	1215+	TO-3	150000	全新原裝,絕對正品,公司大量現(xiàn)貨供應(yīng).	詢價
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	MJ10005		24+	TO-3	10000	全新	詢價
深圳市弘為電子有限公司	MJ10005	MOT/ON	24+	TO-3	500	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價
齊創(chuàng)科技(上海,北京,青島)有限公司	MJ10005	MOT	23+	TO-3	6000	原裝正品,假一罰十	詢價
深圳市永貝爾科技有限公司	MJ10005	BOCA	23+	NA	19960	只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣	詢價
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深圳市錦喆鴻電子有限公司	MJ10005	MOT	21+		12588	原裝現(xiàn)貨價格優(yōu)勢	詢價
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	MJ10005	ON	20+	TO-03	38900	原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票	詢價
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更多MJ10005供應(yīng)商更新時間2025-4-26 19:10:00

晶體管資料

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