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16k Nonvolatile SRAM DESCRIPTION TheDS1220ABandDS1220AD16kNonvolatileSRAMsare16,384-bit,fullystatic,nonvolatileSRAMsorganizedas2048wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensucha | DallasDallas Semiconductor 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體 | Dallas | ||
16k Nonvolatile SRAM DESCRIPTION TheDS1220Y16kNonvolatileSRAMisa16,384-bit,fullystatic,nonvolatileRAMorganizedas2048 wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrythat constantlymonitorVCCforanout-of-tolerancecondition. FEATURES 10ye | DallasDallas Semiconductor 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體 | Dallas | ||
16k Nonvolatile SRAM DESCRIPTION TheDS1220Y16kNonvolatileSRAMisa16,384-bit,fullystatic,nonvolatileRAMorganizedas2048 wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrythat constantlymonitorVCCforanout-of-tolerancecondition. FEATURES 10ye | DallasDallas Semiconductor 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體 | Dallas | ||
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16k Nonvolatile SRAM DESCRIPTION TheDS1220Y16kNonvolatileSRAMisa16,384-bit,fullystatic,nonvolatileRAMorganizedas2048 wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrythat constantlymonitorVCCforanout-of-tolerancecondition. FEATURES 10ye | DallasDallas Semiconductor 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體 | Dallas | ||
Nonvolatile Controller x 4 Chip DESCRIPTION TheDS1221NonvolatileControllerx4ChipisaCMOScircuitwhichsolvestheapplicationproblemofconvertingCMOSRAMsintononvolatilememories.Incomingpowerismonitoredforanout-oftolerancecondition.Whensuchaconditionisdetected,thechipenableoutputsareinhibite | DallasDallas Semiconductor 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體 | Dallas | ||
BankSwitch Chip DESCRIPTION TheDS1222BankSwitchChipisaCMOScircuitdesignedtoselectoneof16memorybanksundersoftwarecontrol.Memorybankswitchingallowsforanincreaseinmemorycapacitywithoutadditionaladdresslines.Continuousblocksofmemoryareenabledbyselectingpropermemorybankthro | DallasDallas Semiconductor 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體 | Dallas | ||
64K Nonvolatile SRAM DESCRIPTION TheDS1225Y64kNonvolatileSRAMisa65,536-bit,fullystatic,nonvolatileRAMorganizedas8192wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuchaconditionoccu | DallasDallas Semiconductor 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體 | Dallas |
晶體管資料
- 型號(hào)：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
- 性質(zhì)：
低頻或音頻放大 （LF）_功率放大 （PA）
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
100V
- 最大電流允許值：
1A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號(hào)：
- 最大耗散功率：
10W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號(hào)：
B-91
- vtest：
100
- htest：
999900
- atest：
1
- wtest：
10
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
DS12
- 制造商：
APEM Inc.
- 類別：
開(kāi)關(guān) > DIP 開(kāi)關(guān)
- 系列：
DS
- 包裝：
管件
- 電路：
SPST
- 額定電流（安培）：
50mA
- 額定電壓：
24VDC
- 致動(dòng)器類型：
滑動(dòng)式（標(biāo)準(zhǔn)）
- 致動(dòng)器水平：
凸起式
- 觸頭材料：
磷青銅
- 觸頭表面處理：
鍍金
- 板上高度：
0.271"（6.88mm）
- 安裝類型：
通孔
- 端接樣式：
PC 引腳
- 間距：
0.100"（2.54mm），全
- 可水洗：
無(wú)
- 特性：
環(huán)氧樹(shù)脂密封端子
- 工作溫度：
-20°C ~ 70°C
- 描述：
SWITCH SLIDE DIP SPST 50MA 24V
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
diptroni |
2023+ |
原廠封裝 |
50000 |
原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
DALLAS |
25+ |
DIP28 |
2500 |
強(qiáng)調(diào)現(xiàn)貨,隨時(shí)查詢! |
詢價(jià) | ||
MAXIM/美信 |
0506+ |
SOT223 |
25297 |
進(jìn)口原帶現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
MAXIM/美信 |
23+ |
NA |
2860 |
原裝正品代理渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) |
詢價(jià) | ||
DALLSA |
24+ |
66800 |
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專注汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源！ |
詢價(jià) | |||
TI/德州儀器 |
15 |
QFN |
10 |
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詢價(jià) | ||
2000 |
2 |
詢價(jià) | |||||
DALLAS |
24+ |
DIP28 |
9600 |
原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢(shì)供應(yīng),支持實(shí)單! |
詢價(jià) | ||
DALLAS |
24+ |
PLCC28 |
90 |
全新現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
最新 |
2000 |
原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) |
