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DS1220Y-100IND+

16k Nonvolatile SRAM

MaximMaxim Integrated Products

美信美信半導體

DS1220Y-100IND+

Package:24-DIP 模塊(0.600",15.24mm);包裝:卷帶(TR) 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導體技術有限公司

DS1220Y-100

16kNonvolatileSRAM

DESCRIPTION TheDS1220Y16kNonvolatileSRAMisa16,384-bit,fullystatic,nonvolatileRAMorganizedas2048 wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrythat constantlymonitorVCCforanout-of-tolerancecondition. FEATURES 10ye

DallasDallas Semiconductor

亞德諾亞德諾半導體

DS1220Y-100+

16kNonvolatileSRAM

MaximMaxim Integrated Products

美信美信半導體

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    DS1220Y-100IND+

  • 制造商:

    Analog Devices Inc./Maxim Integrated

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 存儲器類型:

    非易失

  • 存儲器格式:

    NVSRAM

  • 技術:

    NVSRAM(非易失性 SRAM)

  • 存儲容量:

    16Kb(2K x 8)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字,頁:

    100ns

  • 電壓 - 供電:

    4.5V ~ 5.5V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    24-DIP 模塊(0.600",15.24mm)

  • 供應商器件封裝:

    24-EDIP

  • 描述:

    IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多DS1220Y-100IND+供應商 更新時間2025-5-4 13:58:00