DS1225Y集成電路（IC）的存儲(chǔ)器規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
DS1225Y |
| 參數(shù)屬性 | DS1225Y 封裝/外殼為28-DIP 模塊（0.600"，15.24mm）；包裝為散裝；類別為集成電路（IC）的存儲(chǔ)器；產(chǎn)品描述：IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP |
| 功能描述 | 64K Nonvolatile SRAM |
| 封裝外殼 | 28-DIP 模塊（0.600"，15.24mm） |
| 文件大小 |
80.83 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
8 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Dallas Semiconductor |
| 企業(yè)簡稱 |
Dallas【亞德諾】 |
| 中文名稱 | 亞德諾半導(dǎo)體官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-5-20 14:40:00 |
| 人工找貨 | DS1225Y價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
DS1225Y規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
The DS1225Y 64k Nonvolatile SRAM is a 65,536-bit, fully static, nonvolatile RAM organized as 8192 words by 8 bits. Each NV SRAM has a self-contained lithium energy source and control circuitry which constantly monitors VCCfor an out-of-tolerance condition. When such a condition occurs, the lithium energy source is automatically switched on and writeprotection is unconditionally enabled to prevent data corruption. The NV SRAM can be used in place of existing 8k x 8 SRAMs directly conforming to the popular bytewide 28-pin DIP standard.
FEATURES
10 years minimum data retention in the absence of external power
Data is automatically protected during power loss
Directly replaces 2k x 8 volatile static RAM or EEPROM
Unlimited write cycles
Low-power CMOS
JEDEC standard 28-pin DIP package
Read and write access times as fast as 150 ns
Full ±10 operating range
Optional industrial temperature range of
-40°C to +85°C, designated IND
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
DS1225Y-150IND+
- 制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
- 類別：
集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器
- 包裝：
散裝
- 存儲(chǔ)器類型：
非易失
- 存儲(chǔ)器格式：
NVSRAM
- 技術(shù)：
NVSRAM（非易失性 SRAM）
- 存儲(chǔ)容量：
64Kb（8K x 8）
- 存儲(chǔ)器接口：
并聯(lián)
- 寫周期時(shí)間 - 字，頁：
150ns
- 電壓 - 供電：
4.5V ~ 5.5V
- 工作溫度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
28-DIP 模塊（0.600"，15.24mm）
- 供應(yīng)商器件封裝：
28-EDIP
- 描述：
IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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