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DS1230AB-70IND+

256k Nonvolatile SRAM

MaximMaxim Integrated Products

美信美信半導(dǎo)體

DS1230AB-70IND+

256k Nonvolatile SRAM

MaximMaxim Integrated Products

美信美信半導(dǎo)體

DS1230AB-70IND+

Package:28-DIP 模塊(0.600",15.24mm);包裝:管件 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

DS1230AB-70

256kNonvolatileSRAM

DESCRIPTION TheDS1230256kNonvolatileSRAMsare262,144-bit,fullystatic,nonvolatileSRAMsorganizedas32,768wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuchaconditio

DallasDallas Semiconductor

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體

DS1230AB-70+

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256kNonvolatileSRAM

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美信美信半導(dǎo)體

DS1230AB-70IND

256kNonvolatileSRAM

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亞德諾亞德諾半導(dǎo)體

DS1230AB-70-IND

256kNonvolatileSRAM

DESCRIPTION TheDS1230256kNonvolatileSRAMsare262,144-bit,fullystatic,nonvolatileSRAMsorganizedas32,768wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuchaconditio

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亞德諾亞德諾半導(dǎo)體

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    DS1230AB-70IND+

  • 制造商:

    Analog Devices Inc./Maxim Integrated

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    管件

  • 存儲器類型:

    非易失

  • 存儲器格式:

    NVSRAM

  • 技術(shù):

    NVSRAM(非易失性 SRAM)

  • 存儲容量:

    256Kb(32K x 8)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字,頁:

    70ns

  • 電壓 - 供電:

    4.75V ~ 5.25V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    28-DIP 模塊(0.600",15.24mm)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    28-EDIP

  • 描述:

    IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多DS1230AB-70IND+供應(yīng)商 更新時間2025-5-4 15:00:00