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DS1270Y-70IND集成電路(IC)的存儲器規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
DS1270Y-70IND |
參數(shù)屬性 | DS1270Y-70IND 封裝/外殼為36-DIP 模塊(0.610",15.49mm);包裝為管件;類別為集成電路(IC)的存儲器;產(chǎn)品描述:IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP |
功能描述 | 16M Nonvolatile SRAM |
封裝外殼 | 36-DIP 模塊(0.610",15.49mm) |
文件大小 |
173.5 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
8 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Dallas Semiconductor |
企業(yè)簡稱 |
Dallas【亞德諾】 |
中文名稱 | 亞德諾半導(dǎo)體官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-2-6 23:00:00 |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
DS1270Y-70IND
- 制造商:
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
- 類別:
集成電路(IC) > 存儲器
- 包裝:
管件
- 存儲器類型:
非易失
- 存儲器格式:
NVSRAM
- 技術(shù):
NVSRAM(非易失性 SRAM)
- 存儲容量:
16Mb(2M x 8)
- 存儲器接口:
并聯(lián)
- 寫周期時間 - 字,頁:
70ns
- 電壓 - 供電:
4.5V ~ 5.5V
- 工作溫度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
36-DIP 模塊(0.610",15.49mm)
- 供應(yīng)商器件封裝:
36-EDIP
- 描述:
IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
DALLAS |
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