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DS3030W-100集成電路(IC)的存儲(chǔ)器規(guī)格書PDF中文資料
![DS3030W-100](https://oss.114ic.com/img3w/pdf141156.png)
廠商型號(hào) |
DS3030W-100 |
參數(shù)屬性 | DS3030W-100 封裝/外殼為256-BGA;包裝為托盤;類別為集成電路(IC)的存儲(chǔ)器;產(chǎn)品描述:IC NVSRAM 256KBIT PAR 256BGA |
功能描述 | 3.3V Single-Piece 256kb Nonvolatile SRAM with Clock |
封裝外殼 | 256-BGA |
文件大小 |
549.97 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
18 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | Dallas Semiconductor |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
Dallas【亞德諾】 |
中文名稱 | 亞德諾半導(dǎo)體官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-2-14 19:00:00 |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào):
DS3030W-100
- 制造商:
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
- 類別:
集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器
- 包裝:
托盤
- 存儲(chǔ)器類型:
非易失
- 存儲(chǔ)器格式:
NVSRAM
- 技術(shù):
NVSRAM(非易失性 SRAM)
- 存儲(chǔ)容量:
256Kb(32K x 8)
- 存儲(chǔ)器接口:
并聯(lián)
- 寫周期時(shí)間 - 字,頁(yè):
100ns
- 電壓 - 供電:
3V ~ 3.6V
- 工作溫度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
256-BGA
- 供應(yīng)商器件封裝:
256-BGA(27x27)
- 描述:
IC NVSRAM 256KBIT PAR 256BGA
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
DALLAS |
24+ |
BGA |
20000 |
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詢價(jià) | ||
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DALLAS |
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256-BGA |
6672 |
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DALLAS |
19+ |
BGA |
20000 |
19 |
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DALLAS |
19+ |
BGA |
256800 |
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詢價(jià) |