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DSS3515M分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

DSS3515M
廠商型號

DSS3515M

參數(shù)屬性

DSS3515M 封裝/外殼為3-UFDFN;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:SS LOW SAT TRANSISTOR X1-DFN1006

功能描述

15V LOW VCE(sat) PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR

封裝外殼

3-UFDFN

文件大小

129.199 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 Diodes Incorporated
企業(yè)簡稱

DIODES

中文名稱

Diodes Incorporated官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-21 12:40:00

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DSS3515M規(guī)格書詳情

Features

? BVCEO > -15V

? IC = -500mA High Collector Current

? ICM = -1A Peak Pulse Current

? PD = 1000mW Power Dissipation

? Low Collector-Emitter Saturation Voltage, VCE(sat)

? 0.60mm2 Package Footprint, 13 times Smaller than SOT23

? 0.5mm Height Package Minimizing Off-Board Profile

? Complementary NPN Type DSS2515M

? Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)

? Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)

? Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    DSS3515MQ-7

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    250mV @ 50mA,500mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    200 @ 10mA,2V

  • 頻率 - 躍遷:

    340MHz

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    3-UFDFN

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    X1-DFN1006-3

  • 描述:

    SS LOW SAT TRANSISTOR X1-DFN1006

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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