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DT430

Silicon NPN Darlington Power Transistor

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司

DT430

Collector-Emitter Breakdown Voltage

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

DT430N22KOFHPSA1

包裝:散裝 類別:分立半導體產(chǎn)品 晶閘管 - SCR - 模塊 描述:SCR MODULE PB60-1

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

DVK-BTM430

modulesfromLairdTechnologieshavebeendesignedtomeettheneedsofdeveloperswhowishtoaddrobust

LSTD

Laird Tech Smart Technology

EQ-430L

EQ-430LiscomposedofanInAsQuantumWellHallElementandasignalprocessingICchipinapackage

AKMAsahi Kasei Microsystems

旭化成微電子旭化成微電子株式會社

EVDD430CI

30AUltraFastMOSFET/IGBTDriverEvaluationBoards

IXYS

IXYS Corporation

EVDD430CY

30AUltraFastMOSFET/IGBTDriverEvaluationBoards

IXYS

IXYS Corporation

EVDD430MCI

30AUltraFastMOSFET/IGBTDriverEvaluationBoards

IXYS

IXYS Corporation

EVDD430MYI

30AUltraFastMOSFET/IGBTDriverEvaluationBoards

IXYS

IXYS Corporation

EVDD430S

30AUltraFastMOSFET/IGBTDriverEvaluationBoards

IXYS

IXYS Corporation

晶體管資料

  • 型號:

    DT430

  • 別名:

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    開關管 (S)_功率放大 (L)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    400V

  • 最大電流允許值:

    10A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    2

  • 可代換的型號:

    BU212,BU221,BUW76,BUY76,3DK308A,

  • 最大耗散功率:

    100W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    E-44

  • vtest:

    400

  • htest:

    999900

  • atest:

    10

  • wtest:

    100

詳細參數(shù)

  • 型號:

    DT430

  • 功能描述:

    SCR模塊

  • RoHS:

  • 制造商:

    Vishay Semiconductors

  • 開啟狀態(tài):

    RMS

  • 電流(It_RMS):

    260 A

  • 不重復通態(tài)電流:

    4000 A 最大轉(zhuǎn)折電流

  • IBO:

    4200 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓

  • VDRM:

    1.6 kV

  • 關閉狀態(tài)漏泄電流(在VDRM_IDRM下):

    20 mA

  • 開啟狀態(tài)電壓:

    1.43 V 保持電流(Ih

  • 最大工作溫度:

    + 150 C

  • 安裝風格:

    Chassis

  • 封裝/箱體:

    INT-A-PAK

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
INFINEON
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主營模塊
190
原裝正品,現(xiàn)貨供應
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430A1800V2000V2200V2400V
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SOT23-5
9000
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