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E10N60

Marking：E10N60；Package：TO-263；10A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd

東海半導體江蘇東海半導體股份有限公司

E10N60

Marking：E10N60；Package：TO-263；10A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd

東海半導體江蘇東海半導體股份有限公司

E10N60

Marking：E10N60；Package：TO-263；10A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd

東海半導體江蘇東海半導體股份有限公司

E10N60

Marking：E10N60；Package：TO-263；10A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd

東海半導體江蘇東海半導體股份有限公司

F10N60

10A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET

WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd

東海半導體江蘇東海半導體股份有限公司

F10N60

10A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET

WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd

東海半導體江蘇東海半導體股份有限公司

F10N60

10A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET

WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd

東海半導體江蘇東海半導體股份有限公司

F10N60

10A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET

WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd

東海半導體江蘇東海半導體股份有限公司

FDP10N60NZ

N-ChannelUniFETTMIIMOSFET600V,10A,750m?

Description UniFET?IIMOSFETisFairchildSemiconductor?’shighvoltageMOSFETfamilybasedonadvancedplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETfamilyhasthesmalleston-stateresistanceamongtheplanarMOSFET,andalsoprovidessuperiorswitchingperformanceandhigheravala

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FDP10N60NZ

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.75Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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全新原裝現(xiàn)貨/假一罰百!
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SOP-8
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ON/安森美
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SOP-8
30000
百域芯優(yōu)勢 實單必成 可開13點增值稅發(fā)票
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更多E10N60供應商 更新時間2025-2-14 20:00:00

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