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STE180NE10

N-ChannelMOSFET

DESCRIPTION ·DrainCurrent-ID=180A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage -VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=6mΩ(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·Switchingapplication

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

STE180NE10

N-channel100V-4.5m廓-180A-ISOTOPSTripFET??PowerMOSFET

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STE180NE10

N-CHANNEL100V-4.5mohm-180AISOTOPSTripFET]POWERMOSFET

Description ThisPowerMOSFETisthelatestdevelopmentofSTMicroelectronicsuniqueSingleFeatureSize?strip-basedprocess.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackingdensityforlowon-resistance,ruggedavalanchecharacteristicsandlesscriticalalignmentstepsthereforearemark

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

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更多E180NE10供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-20 17:18:00

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