EC4H09C分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料
![EC4H09C](https://oss.114ic.com/img3w/pdf141156.png)
廠商型號 |
EC4H09C |
參數(shù)屬性 | EC4H09C 封裝/外殼為4-UFDFN;包裝為托盤;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 3.5V 26GHZ ECSP1008 |
功能描述 | NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor UHF to X Band Low-Noise Amplifier and OSC Applications |
封裝外殼 | 4-UFDFN |
文件大小 |
45.94 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
3 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Sanyo Semicon Device |
企業(yè)簡稱 |
SANYO【三洋】 |
中文名稱 | 三洋電機株式會社官網(wǎng) |
原廠標識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-2-14 20:00:00 |
EC4H09C規(guī)格書詳情
NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor
Features
? High cut-off frequency : fT=26GHz typ (VCE=3V).
? Low operating voltage.
? High gain : ?S21e?2=16.5dB typ (f=2GHz).
? Halogen free compliance (UL94 HB).
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
EC4H09C-TL-H
- 制造商:
onsemi
- 類別:
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻
- 包裝:
托盤
- 晶體管類型:
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):
3.5V
- 頻率 - 躍遷:
26GHz
- 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):
1.3dB @ 2GHz
- 增益:
15dB
- 功率 - 最大值:
120mW
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
70 @ 5mA,1V
- 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):
40mA
- 工作溫度:
150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
4-UFDFN
- 供應商器件封裝:
4-ECSP1008
- 描述:
RF TRANS NPN 3.5V 26GHZ ECSP1008
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
SANYO/三洋 |
23+ |
NA/ |
115240 |
原裝現(xiàn)貨,當天可交貨,原型號開票 |
詢價 | ||
SANYO |
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SMD |
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SANYO |
SMD |
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SANYO |
24+ |
SMD |
35200 |
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詢價 | ||
SANYO |
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68900 |
原包原標簽100%進口原裝常備現(xiàn)貨! |
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Cincon |
24+ |
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專注Cincon品牌原裝正品代理分銷,認準水星電子 |
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BoxEnclosures |
新 |
8 |
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SANYO/三洋 |
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SMD |
600000 |
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詢價 |