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ECH8659-TL-W中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

ECH8659-TL-W
廠商型號(hào)

ECH8659-TL-W

功能描述

Power MOSFET

文件大小

471 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

5 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-4 23:12:00

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ECH8659-TL-W規(guī)格書(shū)詳情

This Power MOSFET is produced using ON Semiconductor’s trench technology, which is specifically designed to minimize gate charge and low on resistance. This device is suitable for applications with low gate charge driving or low on resistance requirements.

Features

? 4V drive

? Composite type, Facilitating high-density mounting

? ESD Diode-Protected Gate

? Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliance

Typical Applications

? LiB Protection Switch

? Motor Drive

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
三年內(nèi)
1983
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