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ECH8668-TL-H中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號(hào) |
ECH8668-TL-H |
功能描述 | Power MOSFET Complementary Dual |
文件大小 |
383.53 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
8 頁 |
生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
企業(yè)簡稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時(shí)間 | 2025-3-20 20:00:00 |
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ECH8668-TL-H規(guī)格書詳情
Features
? The ECH8668 incorporates an N-channel MOSFET and a P-channel MOSFET that feature low ON-resistance and high-speed switching , thereby enablimg high-density mounting
? 1.8V drive
? Halogen free compliance
? Protection diode in
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào):
ECH8668-TL-H
- 功能描述:
MOSFET N/P-CH 20V 7.5A ECH8
- RoHS:
是
- 類別:
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列
- 系列:
-
- 產(chǎn)品目錄繪圖:
8-SOIC Mosfet Package
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:
1
- 系列:
- FET
- 型:
2 個(gè) N 溝道(雙) FET
- 特點(diǎn):
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss):
60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C:
3A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C:
75 毫歐 @ 4.6A,10V Id 時(shí)的
- Vgs(th)(最大):
3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs:
20nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds:
- 功率 -
- 最大:
1.4W
- 安裝類型:
表面貼裝
- 封裝/外殼:
PowerPAK? SO-8
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝:
PowerPAK? SO-8
- 包裝:
Digi-Reel®
- 產(chǎn)品目錄頁面:
1664(CN2011-ZH PDF)
- 其它名稱:
SI7948DP-T1-GE3DKR
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
23+ |
NA/ |
3000 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價(jià) | ||
ON |
1504+ |
SOT23-8 |
3000 |
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
ON(安森美) |
2023+ |
N/A |
4550 |
全新原裝正品 |
詢價(jià) | ||
ON(安森美) |
23+ |
9320 |
公司只做原裝正品,假一賠十 |
詢價(jià) | |||
ON |
23+ |
SOT23-8 |
28000 |
原裝正品 |
詢價(jià) | ||
ON |
23+ |
SOT23-8 |
12800 |
##公司主營品牌長期供應(yīng)100%原裝現(xiàn)貨可含稅提供技術(shù) |
詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
22+ |
SOT23-8 |
50000 |
只做原裝假一罰十,歡迎咨詢 |
詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
22+ |
8-ECH |
25000 |
只有原裝原裝,支持BOM配單 |
詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
22+ |
N/A |
12245 |
現(xiàn)貨,原廠原裝假一罰十! |
詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
23+ |
10000 |
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價(jià)格優(yōu)勢、品種 |
詢價(jià) |