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ECH8668-TL-H中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

ECH8668-TL-H
廠商型號(hào)

ECH8668-TL-H

功能描述

Power MOSFET Complementary Dual

文件大小

383.53 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-3-20 20:00:00

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ECH8668-TL-H規(guī)格書詳情

Features

? The ECH8668 incorporates an N-channel MOSFET and a P-channel MOSFET that feature low ON-resistance and high-speed switching , thereby enablimg high-density mounting

? 1.8V drive

? Halogen free compliance

? Protection diode in

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    ECH8668-TL-H

  • 功能描述:

    MOSFET N/P-CH 20V 7.5A ECH8

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列

  • 系列:

    -

  • 產(chǎn)品目錄繪圖:

    8-SOIC Mosfet Package

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1

  • 系列:

    - FET

  • 型:

    2 個(gè) N 溝道(雙) FET

  • 特點(diǎn):

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    3A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    75 毫歐 @ 4.6A,10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)(最大):

    3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    20nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    - 功率 -

  • 最大:

    1.4W

  • 安裝類型:

    表面貼裝

  • 封裝/外殼:

    PowerPAK? SO-8

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    PowerPAK? SO-8

  • 包裝:

    Digi-Reel®

  • 產(chǎn)品目錄頁面:

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名稱:

    SI7948DP-T1-GE3DKR

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ON/安森美
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NA/
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優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
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ON(安森美)
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