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F306

HCMOS3.2x2.5mm1.0VSMDOscillator

FOX

Fox Electronics

F306R

HCMOS3.2x2.5mm1.0VSMDOscillator

FOX

Fox Electronics

FDB306

3AMPFASTRECOVERYBRIDGERECTIFIERS

DEC

DIOTEC Electronics Corporation

FDD306P

P-Channel1.8VSpecifiedPowerTrenchMOSFET

GeneralDescription ThisP-Channel1.8VSpecifiedMOSFETusesFairchild’sadvancedlowvoltagePowerTrenchprocess.Ithasbeenoptimizedforbatterypowermanagement. Features ■–6.7A,–12V.RDS(ON)=28m?@VGS=–4.5VRDS(ON)=41m?@VGS=–2.5VRDS(ON)=90m?@VGS=–1.8V ■Fast

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FDD306P

P-channelEnhancementModePowerMOSFET

Features ?VDS=-30V,ID=-20A RDS(ON)

BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED

百域芯深圳市百域芯科技有限公司

FDN306

P-Channel1.8V(D-S)MOSFET

GeneralDescription ThisP-Channel1.8VspecifiedMOSFETuses Fairchild’sadvancedlowvoltagePowerTrenchprocess. Ithasbeenoptimizedforbatterypowermanagement applications. Applications ?Batterymanagement ?Loadswitch ?Batteryprotection Features ?–2.6A,–12V.RDS(ON)

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊歐翊歐半導體

FDN306P

P-Channel1.8VSpecifiedPowerTrenchMOSFET

GeneralDescription ThisP-Channel1.8VspecifiedMOSFETusesFairchild’sadvancedlowvoltagePowerTrenchprocess. Ithasbeenoptimizedforbatterypowermanagementapplications. Features ?–2.6A,–12V.RDS(ON)=40m?@VGS=–4.5VRDS(ON)=50m?@VGS=–2.5VRDS(ON)=80m?@VGS=–

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FDN306P

SingleP-ChannelPowerTrenchMOSFET

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

臺舟電子臺舟電子股份有限公司

FDN306P

P-Channel1.8V(D-S)MOSFET

Features ?–2.6A,–12V.RDS(ON)=40mΩ@VGS=–4.5V RDS(ON)=50mΩ@VGS=–2.5V RDS(ON)=80mΩ@VGS=–1.8V ?Fastswitchingspeed ?Highperformancetrenchtechnologyforextremely lowRDS(ON) ?SuperSOTTM-3provideslowRDS(ON)and30higher powerhandlingcapabilitythanSOT

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺半導體廣東友臺半導體有限公司

FDN306P

P-Channel1.8V(D-S)MOSFET

GeneralDescription ThisP-Channel1.8VspecifiedMOSFETuses Fairchild’sadvancedlowvoltagePowerTrenchprocess. Ithasbeenoptimizedforbatterypowermanagement applications. Applications ?Batterymanagement ?Loadswitch ?Batteryprotection Features ?–2.6A,–12V.RDS(ON)

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊歐翊歐半導體

晶體管資料

  • 型號：

    EFT306

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Ge-PNP

  • 性質(zhì)：

    通用型 （Uni）

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    15V

  • 最大電流允許值：

    0.1A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

    3AK33,

  • 最大耗散功率：

    0.15W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    C-47

  • vtest：

    15

  • htest：

    999900

  • atest：

    0.1

  • wtest：

    0.15

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