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EMB09N03A

N??hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

ProductSummary: BVDSS30V RDSON(MAX.)9mΩ ID50A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree

EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp.

杰力科技杰力科技股份有限公司

EMB09N03G

N??hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

ProductSummary: BVDSS30V RDSON(MAX.)9.5mΩ ID14A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree

EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp.

杰力科技杰力科技股份有限公司

EMB09N03HR

N??hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

ProductSummary: BVDSS30V RDSON(MAX.)9.5mΩ ID50A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree

EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp.

杰力科技杰力科技股份有限公司

EMB09N03V

N??hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

ProductSummary: BVDSS30V RDSON(MAX.)9mΩ ID20A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree

EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp.

杰力科技杰力科技股份有限公司

EMB09N03VAT

N??hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

ProductSummary: BVDSS30V RDSON(MAX.)9.5mΩ ID10A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree

EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp.

杰力科技杰力科技股份有限公司

EMB09N03H

N??hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp.

杰力科技杰力科技股份有限公司

FTD09N03N

N-ChannelEnhancement

InPowerProductLines

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商未分類制造商

IPB09N03LA

OptiMOS2Power-Transistor

Type:IPB09N03LAG Package:PG-TO263-3-2 Marking:09N03LA ?Idealforhigh-frequencydc/dcconverters ?QualifiedaccordingtoJEDECfortargetapplications ?N-channel-Logiclevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?Superiorthe

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPB09N03LAG

OptiMOS?2Power-Transistor

Features ?Idealforhigh-frequencydc/dcconverters ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications ?N-channel-Logiclevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?Superiorthermalresistance ?175°Coperatingtemperature ?dv/dtrated

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPB09N03LAG

OptiMOS2Power-Transistor

Features ?Idealforhigh-frequencydc/dcconverters ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications ?N-channel-Logiclevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?Superiorthermalresistance ?175°Coperatingtemperature ?dv/dtrated

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

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更多EMB09N03供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-20 17:10:00

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