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ERJ-2GE0R00X

This document describes specifications for the F1650NLGI Zero/Complex IF Modulator implementing Zero-DistortionTM technology for low power consumption with improved ACLR. This device interfaces directly to a high performance Tx dual DAC.

FEATURES ?PowerGain=3.25dB ?Direct100ΩdifferentialdrivefromTxDAC ?

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

ERJ-2GE0R00X

IDTF1653 RECOMMENDED OPERATION CONDITIONS

FEATURES ?PowerGain=3dB ?Direct100ΩdifferentialdrivefromTxDAC ?

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

ERJ-2GE0R00X

Evaluating the ADL8142 GaAs, pHEMT, MMIC, Low Noise Amplifier, 23 GHz to 31 GHz

GENERALDESCRIPTION TheADL8142-EVALZconsistsofa4-layerprintedcircuitboard (PCB)fabricatedfrom8milthick,Rogers4003CandIsola370HR, copperclad,forminganominalthicknessof62mils.TheRFINand RFOUTportsontheADL8142-EVALZarepopulatedwith 2.92mm,femalecoaxialconn

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

ERJ-2GE0R00X

DPD Demodulator for PA Linearization, 1300MHz to 2900MHz

FEATURES(IORQPATH) ?WideflatperformanceIFBW ?WideRFandLOBWs(~1.6GHz) ?IdealforMulti-CarrierSystems ?DrivesADCdirectly ?Ultralinear+41dBmIP3O ?LowNoiseFigure ?ExcellentACLRperformance ?200Ωoutputimpedance ?FullyintegratedDPDdemodulator ?6x636pin

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

ERJ-2GE0R00X

Dual-Channel Low Noise Amplifier 10.7 – 12.75 GHz

Features ■Frequency:10.7–12.75GHz ■Gain:19.5dB ■NoiseFigure:1.4dB ■OutputP1dB:-7dBm ■PowerConsumption:12.5mW/ch ■ChannelIsolation:37dBminimum ■SupplyVoltage:0.9–1.0V ■Commonbiascontrolinput ■Compactsizeforplanarintegrationonλ/2grid ■2.7×2.7×0.9m

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

ERJ-2GE0R00X

Low-Noise Amplifier Front-End Module with GPS/GNSS/BDS Pre-Filter

Applications ?GPS/GNSS/BDSradioreceivers ?GlobalNavigationSatelliteSystems(GLONASS) ?Fitness/activitytrackers ?Smartphones ?LaptopPCsandtablets Features ?Smallsignalgain:16.5dBtypical ?Lownoisefigure:1.5dBtypical ?Excellentout-of-bandrejection ?Lowcurren

SKYWORKSSkyworks Solutions Inc.

思佳訊美國(guó)思佳訊公司

ERJ-2GE0R00X

Ideal for Multi-Carrier Systems

FEATURES ?IdealforMulti-CarrierSystems ?LowsideorHighsideLO ?11.7dBGain ?Ultralinear+45dBmIP3OusingHSLOor +42dBmIP3OusingLSLO ?9.7dBNF ?200Ωoutputimpedance ?WideflatperformanceIFBW ?DrivesADCdirectlyforDPDapplications ?LowPowerConsumption ?5x5

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

ERJ-2GE0R00X

Ideal for Multi-Carrier Systems

FEATURES ?IdealforMulti-CarrierSystems ?LowsideorHighsideLO ?11.8dBGain ?Ultralinear+43dBmIP3OusingHSLOor +37.5dBmIP3OusingLSLO ?9.7dBNF ?200Ωoutputimpedance ?Wideflat-performanceIFBW ?DrivesADCdirectlyforDPDapplications ?LowPowerConsumption ?5

RENESASRenesas Technology Corp

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ERJ-2GE0R00X

Voltage Variable RF Attenuator

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

ERJ-2GE0R00X

Spurious Free Design Attenuation Error 0.3 dB @ 2 GHz

RENESASRenesas Technology Corp

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    ERJ-2GE0R00X

  • 制造商：

    Panasonic Electronic Components

  • 類別：

    電阻器 > 片式電阻器 - 表面貼裝

  • 系列：

    ERJ-2G

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 容差：

    跳接器

  • 功率 (W)：

    0.1W，1/10W

  • 成分：

    厚膜

  • 特性：

    汽車級(jí)AEC-Q200

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 155°C

  • 封裝/外殼：

    0402（1005 公制）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    0402

  • 等級(jí)：

    AEC-Q200

  • 大小 / 尺寸：

    0.039" 長(zhǎng) x 0.020" 寬（1.00mm x 0.50mm）

  • 高度 - 安裝（最大值）：

    0.016"（0.40mm）

  • 描述：

    RES SMD 0 OHM JUMPER 1/10W 0402

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
Panasonic(松下)
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更多ERJ-2GE0R00X供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-5-18 10:00:00

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