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IRF710A

AdvancedPowerMOSFET(400V,3.6ohm,2A)

FEATURES ?AvalancheRuggedTechnology ?RuggedGateOxideTechnology ?LowerInputCapacitance ?ImprovedGateCharge ?ExtendedSafeOperatingArea ?LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=400V ?LowRDS(ON):2.815?(Typ.)

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

IRF710A

iscN-ChannelMOSFETTransistor

?DESCRITION ?designedforapplicationssuchasswitchingregulators,switchingconvertors,motordrivers,relaydrivers,anddriversforhighpowerbipolarswitchingtransistorsrequiringhighspeedandlowgatedrivepower.Thesetypescanbeoperateddirectlyfromintegratedcircuits. ?FEATU

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IRF710B

400VN-ChannelMOSFET

GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    EW710

  • 制造商:

    Asahi Kasei Microdevices/AKM

  • 類別:

    傳感器,變送器 > 磁性傳感器 - 開關(guān)(固態(tài))

  • 包裝:

    散裝

  • 描述:

    MAG SWITCH HALL EFFECT LATCH

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更多EW710供應(yīng)商 更新時間2025-4-5 11:10:00