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F1012

PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR

Polyfet

Polyfet RF Devices

F1012

Micro Flow Sensor

WINSENZhengzhou Winsen Electronics Technology Co., Ltd.

煒盛電子鄭州煒盛電子科技有限公司

FFB1012EHE

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FL1012

ELECTRICALSPECIFICATIONS

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FL1012

LANDISCRETETRANSFORMERMODULES

pulse

Pulse A Technitrol Company

FL1012NL

ELECTRICALSPECIFICATIONS

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FP1012

SILICONSURGESUPPRESSORDIODES

[LEDEX]

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

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FP1012A

SILICONSURGESUPPRESSORDIODES

[LEDEX]

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

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FP1012V

Highfrequency,highcurrentpowerinductors

features ?Verticaldesignutilizeslessboardspace ?Highcurrentcarryingcapacity ?Operatingfrequencyupto3MHz ?Inductancerangefrom70nHto470nH ?Currentrange22Ato190A ?10.0mmx6.0mmfootprintsurfacemount packagein12mmheight ?Moisturesensitivitylevel(MSL

EATONEaton All Rights Reserved.

伊頓伊頓公司

FR1012

1AmpGlassPassivatedRectifier1200to2000Volts

Features ?LowCost ?LowLeakage ?LowForwardVoltageDrop ?HighCurrentCapability ?FastSwitchingSpeedForHighEfficiency ?GlassPassivatedJunction

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導體股份有限公司

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更多F1012供應商 更新時間2025-4-4 13:26:00

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